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Indy RFID 讀寫器芯片
Impinj 產(chǎn)品線包括基于Intel公司獲獎(jiǎng)技術(shù)的 Indy RFID 讀寫器芯片系列。
Indy R2000 RFID 讀寫器芯片—增加功能
Indy R2000 RFID 讀寫器芯片定位于具有挑戰(zhàn)性的RFID 應(yīng)用. 在以下方面優(yōu)于 R1000 :
采用載波消除技術(shù)，讀取準(zhǔn)確性更好、范圍更廣
增加了協(xié)議的可配置性和高級(jí)無線電接入功能
相位噪聲更低，更符合全球監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)
提供一種可靠的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)各種應(yīng)用的優(yōu)化 相干的IQ 解調(diào)提供較低RSSI變化、 載波相位以及最佳接收靈敏度
集成的高性能VCO使得具有-126 dBc/Hz階段噪聲的業(yè)界能夠輕松應(yīng)對(duì)法規(guī)遵從的問題，增加了Rx的靈敏度，以及改善了DRM的操作。
Impinj Indy 讀寫器芯片一覽
R1000
R2000
R500
空氣接口協(xié)議
EPCglobal UHF Class 1 Gen 2 / ISO 18000-6C
DSB, SSB,與 PR-ASK傳輸調(diào)制方式
密集讀寫器模式 (DRM)
EPCglobal UHF Class 1 Gen 2 / ISO 18000-6C
DSB, SSB, 與 PR-ASK 傳輸調(diào)制方式
密集讀寫器模式(DRM)
可配置成其他協(xié)議
EPCglobal UHF Class 1 Gen 2 / ISO 18000-6C
DSB, SSB,與 PR-ASK傳輸調(diào)制方式
密集讀寫器模式 (DRM)
集成功放
可配置. 為高性能應(yīng)用提供額外的功放支持
可配置. 為高性能應(yīng)用提供額外的功放支持
可配置. 為高性能應(yīng)用提供額外的功放支持
調(diào)制解調(diào)器
可配置數(shù)字基帶
可配置數(shù)字基帶
可配置數(shù)字基帶
工作頻率
840—960 MHz
840—960 MHz
840—960 MHz
封裝
56針 8 mm2 QFN
64針 9 mm2 QFN
64針 9 mm2 QFN
電源
高級(jí)電源管理
高級(jí)電源管理
高級(jí)電源管理
處理器
0.18μ SiGe BiCMOS
0.18μ SiGe BiCMOS
0.18μ SiGe BiCMOS
RSSI
可配置
可配置
可配置
靈敏度
-95 dBm (DRM)
-110 dBm (LBT)
-70 dBm (DRM with a 10 dBm carrier at Rx port
-95 dBm (DRM)
-110 dBm (LBT)
-82 dBm (DRM) with a 10 dBm carrier at Rx port
-68 dBm (DRM)
發(fā)送相位噪聲
(在 250 KHz offset)
-116 dBm/Hz
-126 dBm/Hz
-126 dBm/Hz
支持區(qū)域
美國(guó), 加拿大與其他符合 U.S. FCC Part 15 規(guī)范其他區(qū)域
歐洲及其他符合ETSI EN 302 208規(guī)范的地區(qū),附帶或不附帶 LBT
中國(guó), 印度, 日本，韓國(guó), 馬來西亞, 臺(tái)灣地區(qū)
美國(guó), 加拿大與其他符合 U.S. FCC Part 15 規(guī)范其他區(qū)域
歐洲及其他符合ETSI EN 302 208規(guī)范的地區(qū),附帶或不附帶 LBT
中國(guó), 印度, 日本，韓國(guó), 馬來西亞, 臺(tái)灣地區(qū)
美國(guó), 加拿大與其他符合 U.S. FCC Part 15 規(guī)范其他區(qū)域
歐洲及其他符合ETSI EN 302 208規(guī)范的地區(qū),附帶或不附帶 LBT
中國(guó), 印度, 日本，韓國(guó), 馬來西亞, 臺(tái)灣地區(qū)
Impinj 產(chǎn)品線包括基于Intel公司獲獎(jiǎng)技術(shù)的 Indy RFID 讀寫器芯片系列。
Indy R2000 RFID 讀寫器芯片—增加功能
Indy R2000 RFID 讀寫器芯片定位于具有挑戰(zhàn)性的RFID 應(yīng)用. 在以下方面優(yōu)于 R1000 :
采用載波消除技術(shù)，讀取準(zhǔn)確性更好、范圍更廣
增加了協(xié)議的可配置性和高級(jí)無線電接入功能
相位噪聲更低，更符合全球監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)
提供一種可靠的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)各種應(yīng)用的優(yōu)化 相干的IQ 解調(diào)提供較低RSSI變化、 載波相位以及最佳接收靈敏度
集成的高性能VCO使得具有-126 dBc/Hz階段噪聲的業(yè)界能夠輕松應(yīng)對(duì)法規(guī)遵從的問題，增加了Rx的靈敏度，以及改善了DRM的操作。
Impinj Indy 讀寫器芯片一覽
R1000
R2000
R500
空氣接口協(xié)議
EPCglobal UHF Class 1 Gen 2 / ISO 18000-6C
DSB, SSB,與 PR-ASK傳輸調(diào)制方式
密集讀寫器模式 (DRM)
EPCglobal UHF Class 1 Gen 2 / ISO 18000-6C
DSB, SSB, 與 PR-ASK 傳輸調(diào)制方式
密集讀寫器模式(DRM)
可配置成其他協(xié)議
EPCglobal UHF Class 1 Gen 2 / ISO 18000-6C
DSB, SSB,與 PR-ASK傳輸調(diào)制方式
密集讀寫器模式 (DRM)
集成功放
可配置. 為高性能應(yīng)用提供額外的功放支持
可配置. 為高性能應(yīng)用提供額外的功放支持
可配置. 為高性能應(yīng)用提供額外的功放支持
調(diào)制解調(diào)器
可配置數(shù)字基帶
可配置數(shù)字基帶
可配置數(shù)字基帶
工作頻率
840—960 MHz
840—960 MHz
840—960 MHz
封裝
56針 8 mm2 QFN
64針 9 mm2 QFN
64針 9 mm2 QFN
電源
高級(jí)電源管理
高級(jí)電源管理
高級(jí)電源管理
處理器
0.18μ SiGe BiCMOS
0.18μ SiGe BiCMOS
0.18μ SiGe BiCMOS
RSSI
可配置
可配置
可配置
靈敏度
-95 dBm (DRM)
-110 dBm (LBT)
-70 dBm (DRM with a 10 dBm carrier at Rx port
-95 dBm (DRM)
-110 dBm (LBT)
-82 dBm (DRM) with a 10 dBm carrier at Rx port
-68 dBm (DRM)
發(fā)送相位噪聲
(在 250 KHz offset)
-116 dBm/Hz
-126 dBm/Hz
-126 dBm/Hz
支持區(qū)域
美國(guó), 加拿大與其他符合 U.S. FCC Part 15 規(guī)范其他區(qū)域
歐洲及其他符合ETSI EN 302 208規(guī)范的地區(qū),附帶或不附帶 LBT
中國(guó), 印度, 日本，韓國(guó), 馬來西亞, 臺(tái)灣地區(qū)
美國(guó), 加拿大與其他符合 U.S. FCC Part 15 規(guī)范其他區(qū)域
歐洲及其他符合ETSI EN 302 208規(guī)范的地區(qū),附帶或不附帶 LBT
中國(guó), 印度, 日本，韓國(guó), 馬來西亞, 臺(tái)灣地區(qū)
美國(guó), 加拿大與其他符合 U.S. FCC Part 15 規(guī)范其他區(qū)域
歐洲及其他符合ETSI EN 302 208規(guī)范的地區(qū),附帶或不附帶 LBT
中國(guó), 印度, 日本，韓國(guó), 馬來西亞, 臺(tái)灣地區(qū)