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臺聯(lián)電新推0.25um嵌入式EEPROM,瞄準智能卡應用

作者:電子工程專輯
日期:2007-03-04 11:41:33
摘要:臺聯(lián)電新推0.25um嵌入式EEPROM,瞄準智能卡應用
關鍵詞:智能卡
  臺灣聯(lián)華電子(UMC)日前宣布采用0.25微米邏輯與混合信號平臺,研發(fā)出業(yè)界第一個真正的嵌入式EEPROM。此嵌入式EEPROM主要針對迅速興起的IC智能卡市場,亦即包含有手機SIM卡、儲值卡、信用卡、身份證、USBID鎖等,以及其它任何一種需要安全識別,并且時常更新與編輯信息的應用產(chǎn)品。
  聯(lián)華電子的EEPROM技術采用傳統(tǒng)的雙晶體管EEPROM單元結構,經(jīng)證實是業(yè)界最可靠的結構之一,保證可有超過500K的寫入/清除次數(shù),并且同時擁有重寫頁面與位的能力。這些EEPROMIP具備了低操作電壓特性(低于2V操作時電池消耗為1mA),因此同時適用于接觸式,以及只需靠近卡片閱讀機即可紀錄交易的非接觸式智能卡。
  聯(lián)華電子中央研究發(fā)展部嵌入式內(nèi)存部部長表示:“聯(lián)華電子一直十分積極地在我們的邏輯與混合信號平臺上開發(fā)嵌入式內(nèi)存解決方案,以確保客戶得以密切的將嵌入式內(nèi)存功能與其原有IP結合。而此EEPROM的優(yōu)異效能對于今日需要高可靠度與低操作電壓的智能卡IC設計公司來說是一個十分吸引人的解決方案?!?BR>  聯(lián)華電子亦同步開發(fā)0.25微米嵌入式閃存IP,預期將于今年年底推出。而0.18與0.13微米工藝嵌入式閃存則預定于2005年推出。