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華虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝發(fā)展取得進一步成果

作者:中國IT網(wǎng)
來源:來源網(wǎng)絡(luò)(侵權(quán)刪)
日期:2008-11-05 09:33:25
摘要:2008年10月30日-世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)今天宣布,與多家智能卡行業(yè)龍頭設(shè)計公司的合作順利進行。
關(guān)鍵詞:華虹智能卡
  2008年10月30日-世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)今天宣布,與多家智能卡行業(yè)龍頭設(shè)計公司的合作順利進行。基于華虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝(“EF130”)生產(chǎn)的SIM卡產(chǎn)品完成產(chǎn)品的可靠性測試并進入量產(chǎn)階段,從而使EF130工藝的發(fā)展進入一個新的階段。  

  EF130嵌入式閃存工藝的設(shè)計平臺面向智能卡,MCU和SoC等產(chǎn)品。其工藝平臺擁有中大容量的嵌入式閃存IP,齊全的模擬IP,高速靜態(tài)隨機存儲器和低功耗設(shè)計庫,高性能的IO單元以及完善的產(chǎn)品和測試方案。產(chǎn)品平臺具備拓展性的1.6~5.5V寬電壓支持能力。嵌入式閃存工藝在工業(yè)溫度范圍內(nèi)已達到業(yè)界領(lǐng)先的可靠性指標,運用該技術(shù)平臺開發(fā)的產(chǎn)品的擦寫壽命超過30萬次,數(shù)據(jù)保存時間至少可達10年。該工藝同時具有極低的靜態(tài)功耗,相當于同類工藝約10%的靜態(tài)功耗,其特性使產(chǎn)品更具競爭優(yōu)勢。  

  嵌入式非易失性存儲器工藝平臺是華虹NEC戰(zhàn)略技術(shù)發(fā)展方向之一,通過多年成功的市場運作積累,華虹NEC確立了在嵌入式非易失性存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,可為客戶提供高品質(zhì)高附加值的晶圓代工服務(wù)。華虹NEC將  

  繼續(xù)加強該工藝平臺的發(fā)展,與客戶進行深度合作,在智能卡領(lǐng)域攜手前進。