恩智浦推出第七代LDMOS新型BLC7G22L(S)-130基站晶體管
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductor)近日推出BLC7G22L(S)-130基站功率晶體管,這是恩智浦應(yīng)用其領(lǐng)先的第七代橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)的首款產(chǎn)品,專為高功耗和Doherty放大器應(yīng)用進行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù)可以實現(xiàn)目前功效最高的LDMOS解決方案,與上一代產(chǎn)品相比,功率密度提高了20%,功率效率增長了兩個百分點,而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會期間進行展示。
恩智浦RF功率產(chǎn)品線市場部門經(jīng)理Mark Murphy表示:“隨著移動電信運營商開始提供基于HSDPA和LTE等技術(shù)的超高速服務(wù),無線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的功率需求也已達到空前的水平。恩智浦如今利用第七代LDMOS技術(shù),推出業(yè)界性能最高的LDMOS基站晶體管?!?nbsp;
第七代LDMOS的性能創(chuàng)下新的紀錄,達到3.8GHz,且輸出電容減少25%,可實現(xiàn)寬頻輸出匹配,從而設(shè)計出更加簡單、性能更好的Doherty放大器。Doherty已經(jīng)成為新型基站發(fā)射器的首選放大器架構(gòu),幫助無線網(wǎng)絡(luò)運營商提高效率并降低成本。
ABI Research射頻(RF)元件與系統(tǒng)研究總監(jiān)Lance Wilson表示:“隨著數(shù)據(jù)驅(qū)動型服務(wù)逐漸成為無線基礎(chǔ)設(shè)施的更重要的組成部分,一流的RF功率放大器性能就成為必需。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù),憑借其在功率密度和熱性能方面取得的重大進步,理當成為公司進入相關(guān)應(yīng)用頂級設(shè)備市場時的重要資產(chǎn)?!?nbsp;
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恩智浦的第七代LDMOS新型基站晶體管將于2008年6月15至20號在MTT-S國際微波研討會的第523號展位進行展示。BLC7G22L(S)-130的工程樣片將于2008年第三季度問世?;诙髦瞧值谄叽鶯DMOS技術(shù)的其他產(chǎn)品將于2009年推出。