MOSAID展出固態(tài)硬盤原型

Marketwire 2010年7月29日安大略省渥太華消息電/明通新聞專線/--

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MOSAID Technologies Inc.（TSX: MSD）今日發(fā)布了采用MOSAID創(chuàng)新的HyperLink NAND（HLNAND（TM））架構和接口的固態(tài)硬盤（SSD）原型。HLNAND固態(tài)硬盤原型由MOSAID及其開發(fā)合作伙伴INDILINX共同設計，適用于企業(yè)數(shù)據(jù)中心和高性能計算環(huán)境等大容量存儲應用。

MOSAID的HLNAND固態(tài)硬盤原型可在HLNAND閃存的單一通道實現(xiàn)213MBps的讀性能和130MBps的寫性能。相比之下，當前的二代固態(tài)硬盤需要八個或更多的通道才能獲得同樣的性能。

MOSAID研發(fā)副總裁Jin-Ki Kim表示：“HLNAND項目的目標是開發(fā)先進的解決方案，極大地改善商用產(chǎn)品中的閃存技術性能。通過采用HLNAND技術，我們的固態(tài)硬盤原型表現(xiàn)出無可比擬的閃存性能和靈活性。利用我們的解決方案，固態(tài)硬盤設計者可實現(xiàn)業(yè)界領先的單通道吞吐率，不會因存在密集的環(huán)（ring）而出現(xiàn)滾降（roll-off）。”

HLNAND閃存把MOSAID的HyperLink存儲技術與業(yè)界標準的NAND閃存單元技術相結合，是20年來首個重大的新閃存架構和設備接口開發(fā)項目。通過采用可實現(xiàn)極高信號完整性和極低負載的點對點環(huán)形拓補，HLNAND提供了比傳統(tǒng)閃存高一個數(shù)量級的持續(xù)輸入/輸出（I/O）帶寬。更多信息，請訪問網(wǎng)站：www.hlnand.com。

MOSAID將于8月17-19日在加利福尼亞州圣克拉拉舉行的2010閃存峰會的第416號展位展出HLNAND固態(tài)硬盤原型。屆時還將提供有關HLNAND技術下一階段發(fā)展的報告文件。

HLNAND固態(tài)硬盤原型－設計詳情

HLNAND固態(tài)硬盤是與Serial ATA2（SATA2）兼容的全功能原型，集成了基于現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的控制器以及MOSAID的HLNAND模塊，采用3.5英寸硬盤尺寸。HLNAND固態(tài)硬盤原型為單一通道使用了兩個64GB HLDIMM模塊（每個模塊有八個多芯片封裝（MCP），共有16個多芯片封裝）。MOSAID提供HLDIMM模塊，INDILINX提供控制器和系統(tǒng)電路板。

原型設計限制要求將HyperLink通道時鐘頻率從133MHz降至75MHz。HLNAND固態(tài)硬盤的生產(chǎn)版本采用了支持八通道的基于FPGA或ASIC的控制器，可在133MHz全時鐘頻率下運行，讀寫吞吐率均超過1TB/s。

HLNAND固態(tài)硬盤適合高速、大容量應用，包括桌面工作站、計算和企業(yè)設備、輕型移動設備和游戲設備，或者用作移動硬盤。

供貨情況

半導體供應商、封裝和模塊供應商、產(chǎn)品制造商以及系統(tǒng)集成商可獲得批量生產(chǎn)MOSAID的HLNAND 64Gb NAND閃存器件和64GB HLDIMM模塊的許可。MOSAID的工程團隊可隨時向被許可方提供快速產(chǎn)品導入支持。

MOSAID最近宣布Scanimetrics Inc.在其定制產(chǎn)品解決方案中集成了HLNAND。

關于INDILINX

INDILINX是軟銀風投韓國公司支持下的領先的無晶圓廠半導體公司，專門針對零售、工業(yè)、軍事、企業(yè)和OEM市場開發(fā)高性能固態(tài)硬盤。自2006年成立以來，INDILINX一直被許多政府機構和行業(yè)集團評為“最佳技術公司”。公司在加利福尼亞州米爾皮塔斯經(jīng)營業(yè)務，在韓國城南市設有研發(fā)中心。更多信息，請訪問網(wǎng)站：http://www.indilinx.com。

關于MOSAID

MOSAID Technologies Inc.是全球領先的知識產(chǎn)權公司之一。MOSAID專業(yè)從事半導體和電信系統(tǒng)領域?qū)＠R產(chǎn)權的許可以及半導體存儲技術的開發(fā)。MOSAID的被許可方中有許多為全球最大技術公司。MOSAID成立于1975年，總部位于安大略省渥太華。更多信息，請訪問網(wǎng)站：www.mosaid.com和www.InvestorChannel.mosaid.com。