據(jù)路透社當(dāng)?shù)貢r(shí)間19日?qǐng)?bào)道援引知情人士稱(chēng)，英特爾正準(zhǔn)備將NAND芯片業(yè)務(wù)，以近100億美元的價(jià)格，出售給SK海力士。若交易達(dá)成，將使得SK海力士超越日本Kioxia，成為NAND內(nèi)存市場(chǎng)的全球第二大廠商，并進(jìn)一步縮小與行業(yè)領(lǐng)頭羊三星之間的差距。

有關(guān)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的這些事兒，一定和你的工作或生活息息相關(guān)~

來(lái)自IC insights的預(yù)測(cè)顯示，由于存儲(chǔ)芯片(包括DRAM內(nèi)存和NAND閃存)行情轉(zhuǎn)冷，三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品年收入將同比暴跌20%，雖然Intel也基本保持平穩(wěn)，但結(jié)果將最終變成三星再次跌至第二位，Intel重回第一。

英特爾雖貴為PC時(shí)代的霸主，但是錯(cuò)過(guò)了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的浪潮，并且在今年DRAM和NAND Flash持續(xù)漲價(jià)的背景下，三星有可能威脅英特爾占據(jù)了幾十年的半導(dǎo)體霸主地位。

比NAND閃存更快千倍 40納米R(shí)eRAM在中芯國(guó)際投產(chǎn)引起業(yè)界關(guān)注!曾經(jīng)一度大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國(guó)際，為何鎖定瞄準(zhǔn)ReRAM?主要原因在于ReRAM應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置擁有愈長(zhǎng)的電池續(xù)航力，一來(lái)可節(jié)省維護(hù)成本、二來(lái)有助提高物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施可持續(xù)性。

偉詮電(2436)布局已久的NFC概念的手機(jī)行動(dòng)支付IC卡正式出貨!偉詮電挾自行開(kāi)發(fā)的SDIO加密卡的技術(shù)整合NFC、Nand flash等功能，在完成產(chǎn)品開(kāi)發(fā)后，今年送中國(guó)、韓國(guó)等廠商驗(yàn)證，目前已獲數(shù)家中系廠商驗(yàn)證通過(guò)采用，正式開(kāi)始交貨，為公司看好具市場(chǎng)潛力的產(chǎn)品線(xiàn)。

旺宏(2337)昨天(29)日宣布，旗下12寸廠開(kāi)始生產(chǎn)第二代36納米SLC儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)產(chǎn)品，挹注營(yíng)運(yùn)。

MOSAID的512Gb HLNAND(TM)(HyperLink NAND)多芯片封裝將16片行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)32Gb NAND閃存芯片和2片HLNAND接口器件組合在一起，在一個(gè)單字節(jié)寬HLNAND接口通道上實(shí)現(xiàn)了333MB/秒的輸出。普通NAND閃存多芯片封裝設(shè)計(jì)不能堆迭超過(guò)4片NAND芯片，否則性能便會(huì)降低，并且需要用兩個(gè)甚至多個(gè)通道來(lái)實(shí)現(xiàn)類(lèi)似的吞吐率。

Crocus的MLU XOR，稱(chēng)之為地匹配(Match-In-Place)，它實(shí)現(xiàn)了比較和加密功能，可防止智能卡、身份證、SIM卡、近距離無(wú)線(xiàn)通訊(NFC)遭到篡改。Match-In-Place還實(shí)現(xiàn)了搜尋和比較功能所需的網(wǎng)路路由應(yīng)用，可以實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)CMOS硬體搜尋處理器更高出50倍的密度。此外，所有配置的MLU都能在高達(dá)200℃的溫度中正常運(yùn)作，這使其成為汽車(chē)和工業(yè)電子產(chǎn)品的理想應(yīng)用。

全球閃存卡的領(lǐng)導(dǎo)者SanDisk Corporation (NASDAQ：SNDK) 近日宣布推出采用全球領(lǐng)先的19納米存儲(chǔ)制造工藝、基于2-bits-per-cell (X2) 技術(shù)的64-gigabit (Gb) 單塊芯片。此項(xiàng)技術(shù)將令SanDisk制造出適用于手機(jī)、平板電腦和其他設(shè)備的高性能、小尺寸嵌入式和可移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備。

Intel 和Micron開(kāi)始在新加坡?tīng)I(yíng)運(yùn)NAND閃存業(yè)務(wù)

美光科技股份有限公司（紐約證券交易所：MU）今日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的DRAM和NAND創(chuàng)新作為其第八屆Insight年度大獎(jiǎng)的獲勝者。

利用這項(xiàng)技術(shù)可以從NOR閃存輕松過(guò)渡到性?xún)r(jià)比更高的NAND閃存

Memory Spot是科技業(yè)不斷研究改進(jìn)無(wú)線(xiàn)射頻識(shí)別（RFID）技術(shù)的成果之一。RFID的問(wèn)題在于功能有限（通常只能吐出序號(hào)，供后續(xù)數(shù)據(jù)庫(kù)查詢(xún)），和感應(yīng)器部署成本過(guò)高。英特爾實(shí)驗(yàn)室正在研究如何增加RFID標(biāo)簽的功能，讓使用的貨物能在溫度改變或遭受破壞等異常情況時(shí)，發(fā)出緊急信號(hào)。借由Memory Spot，惠普同時(shí)解決了功能性和成本問(wèn)題。這組實(shí)驗(yàn)性芯片能以每秒10MB傳輸信息，速度媲美Wi-Fi。記憶空間也足以存放大量信息，或至少不只一組序號(hào)。不同于RFID芯片，內(nèi)有NAND閃存的Memory Spot，可重復(fù)清除和修改。