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Micromem演示用于RFID的MRAM陣列樣片

作者:電子工程專輯
日期:2007-03-04 11:41:31
摘要:Micromem演示用于RFID的MRAM陣列樣片
關(guān)鍵詞:電子標(biāo)簽
  10月12日記者獲悉,經(jīng)過5年的研發(fā)后,MicromemTechnologies公司(MMT)日前宣布,該公司用于射頻識(shí)別芯片RFID的MRAM(磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片已經(jīng)接近生產(chǎn)階段。
  MMT公司顧問Cynthia Kuper聲稱,MMT已具備設(shè)計(jì)和制造MRAM存儲(chǔ)器單元的能力,Micromem公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)計(jì)劃開發(fā)96位存儲(chǔ)陣列,目標(biāo)瞄準(zhǔn)RFID市場的新應(yīng)用。Kuper表示,MMT當(dāng)前的技術(shù)在微米級(jí)規(guī)模,并將更進(jìn)一步減少,以便單元密度更加緊湊。另外,他表示MMT已解決了某些與存儲(chǔ)有關(guān)的關(guān)鍵瓶頸問題,包括干擾和材料疲勞。
  據(jù)悉,其他廠商也在爭相投入MRAM技術(shù)的研發(fā),由前摩托羅拉半導(dǎo)體部門獨(dú)立出來的Freescale半導(dǎo)體公司,已推出標(biāo)準(zhǔn)的4MbMRAM產(chǎn)品。根據(jù)Freescale表示,該公司已經(jīng)向部分客戶發(fā)布了MRAM樣片。