MOSAID公布HLNAND2閃存規(guī)格

　　Marketwire 2011年2月24日安大略省渥太華消息電/明通新聞專線/--

　　MOSAID Technologies公司(多倫多證券交易所股票代碼：MSD)今天發(fā)布了HLNAND(TM)2，其創(chuàng)新性HLNAND(HyperLink NAND)閃存架構(gòu)和接口取得了關(guān)鍵突破。HLNAND2針對海量存儲應(yīng)用，包括企業(yè)數(shù)據(jù)中心和高性能計算應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，是第一個可使設(shè)計人員能夠輕松獲得每秒GB性能和TB級存儲容量固態(tài)硬盤(SSD)的NAND閃存接口。

　　MOSAID的HLNAND(HyperLink NAND)閃存規(guī)格2采用了高速、點(diǎn)對點(diǎn)環(huán)形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，將固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)傳輸速率提高到每秒數(shù)GB范圍。HLNAND2支持每通道最高800MB/秒的原始數(shù)據(jù)速率和基于DuplexRW(TM)的每通道1600MB/秒數(shù)據(jù)傳輸速率，只需要一個內(nèi)存通道就可使主機(jī)接口傳輸速率超過1GB/秒。相比之下，基于并行總線結(jié)構(gòu)的NAND閃存接口傳輸速率最高為200MB/秒，而且只有少數(shù)設(shè)備每個通道都支持。

　　HLNAND的點(diǎn)對點(diǎn)接口降低了負(fù)荷，創(chuàng)造了非常干凈的產(chǎn)生信號的環(huán)境，使開發(fā)者能開發(fā)有TB級容量的固態(tài)硬盤，同時不會降低數(shù)據(jù)速率。HLNAND的環(huán)形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還消除了內(nèi)核端接功耗高這一困擾各種并行總線閃存的問題。

　　MOSAID研發(fā)副總裁Jin-Ki Kim表示：“固態(tài)硬盤利用HLNAND2接口架構(gòu)，可實現(xiàn)無與倫比的性能和靈活性。我們預(yù)計在2011年晚些時候發(fā)布HLNAND2工程樣品，使HLNAND2進(jìn)入到大量的要求更高性能和可擴(kuò)展性的閃存應(yīng)用設(shè)計中?！?BR>
　　解決互連挑戰(zhàn)

　　人們對將各種架構(gòu)的存儲系統(tǒng)與計算基礎(chǔ)設(shè)施相連接的更高速系統(tǒng)互連的需求日益上升。由于基于并行總線結(jié)構(gòu)的NAND閃存接口的嚴(yán)重局限，固態(tài)硬盤必須設(shè)計有大量的通道，在許多情況下，通過多個閃存控制器和接口芯片進(jìn)行分配。例如在常常使用多路PCIe接口連接存儲硬件的企業(yè)系統(tǒng)中，固態(tài)硬盤需要多達(dá)25至50個通道，連接到兩個或更多SATA閃存控制器、額外的RAID控制器以及PCIe主橋，提供系統(tǒng)互連需要的吞吐率。

　　由于互連速度提高，MOSAID的HLNAND閃存接口降低了SSD設(shè)計的復(fù)雜性，同時提高了容量。憑借高擴(kuò)展性以及與高速系統(tǒng)互連匹配的操作速度，HLNAND提供了設(shè)計各種存儲解決方案的更簡單的技術(shù)，而且不存在并行總線固有的擴(kuò)展問題。HLNAND2接口與高速互連緊密匹配，因此促進(jìn)了集成PCIe接口的閃存控制器的開發(fā)。這大大降低了閃存通道并行化的需要，擺脫了中間橋器件，因而降低了高擴(kuò)展性及適合多種應(yīng)用的高性能控制器的成本。

　　HLNAND2有8位、同步、DDR數(shù)據(jù)總線，但采用了源同步時鐘，因此，運(yùn)行頻率高達(dá)400MHz，能夠提供高達(dá)800MB/秒的吞吐率。其他功能還包括：

　　-- 與2代和3代PCIe等高速系統(tǒng)互連匹配的閃存接口速度

　　-- DuplexRW(TM)：DDR800同步讀寫，實際數(shù)據(jù)吞吐率為1600MB/秒，很好地適應(yīng)了PCIe的雙工特性

　　-- 通過自動包截斷實現(xiàn)節(jié)能

　　-- 命令包內(nèi)置EDC(錯誤檢測代碼)，提供了分組協(xié)議通信的最佳可靠性。

　　HLNAND2完整規(guī)格可通過 www.hlnand.com 下載。

　　關(guān)于HyperLink(HL)NAND閃存

　　HLNAND閃存是一種高性能解決方案，結(jié)合了MOSAID自己的HyperLink內(nèi)存技術(shù)與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的NAND閃存單元技術(shù)，提供了業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的功能集，達(dá)到超過傳統(tǒng)閃存10倍的持續(xù)I/O帶寬。欲了解更多信息，請訪問 www.hlnand.com 。

　　關(guān)于MOSAID

　　MOSAID Technologies Inc.是全球領(lǐng)先的知識產(chǎn)權(quán)公司之一。MOSAID專業(yè)從事半導(dǎo)體和電信系統(tǒng)領(lǐng)域?qū)＠R產(chǎn)權(quán)的許可以及半導(dǎo)體存儲技術(shù)的開發(fā)。MOSAID的被許可方中有許多為全球最大技術(shù)公司。MOSAID成立于1975年，總部位于安大略省渥太華。更多信息，請訪問網(wǎng)站：www.mosaid.com 和www.InvestorChannel.mosaid.com 。

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　　聯(lián)系方式： MOSAID Technologies公司

　　Michael Salter

　　投資者關(guān)系與企業(yè)傳播總監(jiān)

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