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MOSAID公布HLNAND2閃存規(guī)格

作者:rfid2010
日期:2011-02-25 15:15:09
摘要:MOSAID
關(guān)鍵詞:HLNAND2MOSAID


  Marketwire 2011年2月24日安大略省渥太華消息電/明通新聞專線/--

  MOSAID Technologies公司(多倫多證券交易所股票代碼:MSD)今天發(fā)布了HLNAND(TM)2,其創(chuàng)新性HLNAND(HyperLink NAND)閃存架構(gòu)和接口取得了關(guān)鍵突破。HLNAND2針對海量存儲應(yīng)用,包括企業(yè)數(shù)據(jù)中心和高性能計算應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,是第一個可使設(shè)計人員能夠輕松獲得每秒GB性能和TB級存儲容量固態(tài)硬盤(SSD)的NAND閃存接口。

  MOSAID的HLNAND(HyperLink NAND)閃存規(guī)格2采用了高速、點(diǎn)對點(diǎn)環(huán)形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),將固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)傳輸速率提高到每秒數(shù)GB范圍。HLNAND2支持每通道最高800MB/秒的原始數(shù)據(jù)速率和基于DuplexRW(TM)的每通道1600MB/秒數(shù)據(jù)傳輸速率,只需要一個內(nèi)存通道就可使主機(jī)接口傳輸速率超過1GB/秒。相比之下,基于并行總線結(jié)構(gòu)的NAND閃存接口傳輸速率最高為200MB/秒,而且只有少數(shù)設(shè)備每個通道都支持。

  HLNAND的點(diǎn)對點(diǎn)接口降低了負(fù)荷,創(chuàng)造了非常干凈的產(chǎn)生信號的環(huán)境,使開發(fā)者能開發(fā)有TB級容量的固態(tài)硬盤,同時不會降低數(shù)據(jù)速率。HLNAND的環(huán)形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還消除了內(nèi)核端接功耗高這一困擾各種并行總線閃存的問題。

  MOSAID研發(fā)副總裁Jin-Ki Kim表示:“固態(tài)硬盤利用HLNAND2接口架構(gòu),可實現(xiàn)無與倫比的性能和靈活性。我們預(yù)計在2011年晚些時候發(fā)布HLNAND2工程樣品,使HLNAND2進(jìn)入到大量的要求更高性能和可擴(kuò)展性的閃存應(yīng)用設(shè)計中?!?BR>
  解決互連挑戰(zhàn)

  人們對將各種架構(gòu)的存儲系統(tǒng)與計算基礎(chǔ)設(shè)施相連接的更高速系統(tǒng)互連的需求日益上升。由于基于并行總線結(jié)構(gòu)的NAND閃存接口的嚴(yán)重局限,固態(tài)硬盤必須設(shè)計有大量的通道,在許多情況下,通過多個閃存控制器和接口芯片進(jìn)行分配。例如在常常使用多路PCIe接口連接存儲硬件的企業(yè)系統(tǒng)中,固態(tài)硬盤需要多達(dá)25至50個通道,連接到兩個或更多SATA閃存控制器、額外的RAID控制器以及PCIe主橋,提供系統(tǒng)互連需要的吞吐率。

  由于互連速度提高,MOSAID的HLNAND閃存接口降低了SSD設(shè)計的復(fù)雜性,同時提高了容量。憑借高擴(kuò)展性以及與高速系統(tǒng)互連匹配的操作速度,HLNAND提供了設(shè)計各種存儲解決方案的更簡單的技術(shù),而且不存在并行總線固有的擴(kuò)展問題。HLNAND2接口與高速互連緊密匹配,因此促進(jìn)了集成PCIe接口的閃存控制器的開發(fā)。這大大降低了閃存通道并行化的需要,擺脫了中間橋器件,因而降低了高擴(kuò)展性及適合多種應(yīng)用的高性能控制器的成本。

  HLNAND2有8位、同步、DDR數(shù)據(jù)總線,但采用了源同步時鐘,因此,運(yùn)行頻率高達(dá)400MHz,能夠提供高達(dá)800MB/秒的吞吐率。其他功能還包括:

  -- 與2代和3代PCIe等高速系統(tǒng)互連匹配的閃存接口速度

  -- DuplexRW(TM):DDR800同步讀寫,實際數(shù)據(jù)吞吐率為1600MB/秒,很好地適應(yīng)了PCIe的雙工特性

  -- 通過自動包截斷實現(xiàn)節(jié)能

  -- 命令包內(nèi)置EDC(錯誤檢測代碼),提供了分組協(xié)議通信的最佳可靠性。

  HLNAND2完整規(guī)格可通過 www.hlnand.com 下載。

  關(guān)于HyperLink(HL)NAND閃存

  HLNAND閃存是一種高性能解決方案,結(jié)合了MOSAID自己的HyperLink內(nèi)存技術(shù)與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的NAND閃存單元技術(shù),提供了業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的功能集,達(dá)到超過傳統(tǒng)閃存10倍的持續(xù)I/O帶寬。欲了解更多信息,請訪問 www.hlnand.com 。

  關(guān)于MOSAID

  MOSAID Technologies Inc.是全球領(lǐng)先的知識產(chǎn)權(quán)公司之一。MOSAID專業(yè)從事半導(dǎo)體和電信系統(tǒng)領(lǐng)域?qū)@R產(chǎn)權(quán)的許可以及半導(dǎo)體存儲技術(shù)的開發(fā)。MOSAID的被許可方中有許多為全球最大技術(shù)公司。MOSAID成立于1975年,總部位于安大略省渥太華。更多信息,請訪問網(wǎng)站:www.mosaid.com 和www.InvestorChannel.mosaid.com 。

  要查看本新聞稿的相關(guān)圖片,請訪問以下鏈接:http://media3.marketwire.com/docs/HLNAND2_low_resolution_photo.jpg

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  聯(lián)系方式: MOSAID Technologies公司

  Michael Salter

  投資者關(guān)系與企業(yè)傳播總監(jiān)

  613-599-9539 x1205

  salter@mosaid.com

 

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