東麗開發(fā)碳納米管復(fù)合材料 助力超高頻通訊技術(shù)

日本東麗1月20日宣布，采用半導(dǎo)體碳納米管復(fù)合材料成功開發(fā)出了印有射頻識(shí)別(RFID)的超高頻(UHF)無線通訊技術(shù)。

東麗稱，該成果表明采用低成本印刷技術(shù)生產(chǎn)超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽具有巨大的潛力，可以廣泛應(yīng)用于零售業(yè)的自動(dòng)收銀機(jī)和物流運(yùn)輸業(yè)的高效庫(kù)存管理。東麗計(jì)劃加速開發(fā)該項(xiàng)技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)印刷射頻識(shí)別技術(shù)的商業(yè)化。

東麗介紹說，新型射頻識(shí)別技術(shù)能夠?yàn)榱闶蹣I(yè)和物流操作提供更高效的遠(yuǎn)程通訊和批量讀取能力。而傳統(tǒng)的硅基射頻識(shí)別標(biāo)簽由于需要昂貴的集成電路(IC)芯片、高溫和真空環(huán)境的復(fù)雜工藝，以及IC芯片安裝的額外工藝需求，未能得到廣泛的應(yīng)用。新技術(shù)生產(chǎn)的低成本芯片和印刷半導(dǎo)體無需安裝，可使遷移率提高20 cm2/Vs。據(jù)稱，碳納米管復(fù)合半導(dǎo)體材料具有182cm2/Vs的遷移率。

通常，薄膜晶體管(TFTs)為p型半導(dǎo)體(對(duì)應(yīng)正極)或n型半導(dǎo)體(對(duì)應(yīng)負(fù)極)，而碳納米管一般為p型半導(dǎo)體。此次東麗開發(fā)的專有材料則表現(xiàn)出n型半導(dǎo)體的性能，采用新材料所生產(chǎn)的p型或n型薄膜晶體管是生產(chǎn)節(jié)能、低成本集成電路所必需的。

目前，東麗采用新材料、專有設(shè)備工藝，通過低成本打印技術(shù)，已制造了一個(gè)包含24位存儲(chǔ)器的射頻識(shí)別標(biāo)簽原型。據(jù)東麗稱，該原型件能夠與20cm范圍內(nèi)的超高頻電波實(shí)現(xiàn)無線通訊，這是采用印刷超高頻射頻識(shí)別技術(shù)在該領(lǐng)域的首次通訊。東麗的目標(biāo)產(chǎn)品為60位處理器。

該公司計(jì)劃提升產(chǎn)品的通訊性能，在增大通訊距離的同時(shí)，進(jìn)一步開發(fā)膜上制造技術(shù)。

該項(xiàng)研究獲得了日本環(huán)境省“低碳技術(shù)研究與開發(fā)項(xiàng)目”的部分資助。