巨頭鎖定→臺積電尖端A16芯片，存儲芯價格或上揚(yáng)

芯片行業(yè)近期頻傳重磅動態(tài)。

據(jù)行業(yè)最新透露，蘋果公司已鎖定臺積電尖端A16芯片的首批生產(chǎn)份額，而OpenAI亦攜手其芯片設(shè)計(jì)伙伴博通與Marvell，向臺積電預(yù)訂了這款前沿芯片。A16芯片作為臺積電當(dāng)前公開的最尖端制程技術(shù)的結(jié)晶，標(biāo)志著臺積電正式踏入埃米制程的新紀(jì)元，預(yù)計(jì)將于2026年下半年正式投入大規(guī)模生產(chǎn)。

市場分析專家指出，第三季度歷來是存儲芯片市場的繁榮季節(jié)，下游市場的旺盛備貨需求正推動DRAM價格預(yù)期上揚(yáng)，顯示出存儲市場正穩(wěn)步邁向復(fù)蘇之路。集邦咨詢預(yù)測，DRAM內(nèi)存芯片的平均價格將在2024年迎來高達(dá)53%的漲幅，并預(yù)計(jì)這一增長勢頭將在2025年持續(xù)，屆時價格有望進(jìn)一步攀升35%。

2026年量產(chǎn)

臺積電最尖端制程芯片預(yù)告

蘋果公司已率先鎖定臺積電尖端A16芯片的首批生產(chǎn)資源，而OpenAI亦不甘落后，借助其芯片設(shè)計(jì)合作伙伴博通與Marvell，同樣向臺積電預(yù)訂了這款前沿芯片。A16芯片不僅是臺積電當(dāng)前技術(shù)實(shí)力的巔峰之作，更是其向埃米級制程邁進(jìn)的里程碑，預(yù)計(jì)將于2026年下半年實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)。

埃米制程作為納米制程的進(jìn)一步細(xì)分，其精度達(dá)到了1納米的十分之一，標(biāo)志著半導(dǎo)體工藝的新一輪飛躍。在2納米技術(shù)已有所突破的背景下，埃米制程成為了全球頂尖芯片制造商競相追逐的目標(biāo)。

A16芯片采用尖端納米片晶體管與創(chuàng)新的超級電軌技術(shù)（SPR），背面供電解決方案釋放正面空間，提升邏輯密度與效能。相比前代，A16在速度、功耗、芯片密度上均有顯著提升，專為高性能計(jì)算（HPC）及數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品優(yōu)化設(shè)計(jì)。

相較于N2P制程，A16芯片在相同工作電壓下速度提升8%至10%，而在相同速度下功耗則降低了15%至20%，芯片密度更是實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1.1倍的增長，為數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場景提供了強(qiáng)大支持。

蘋果作為臺積電的長期核心客戶，歷來都是其最新工藝技術(shù)的首批采用者。例如，在2023年，蘋果便獨(dú)占了臺積電所有3nm芯片（A17制程）的訂單，使得iPhone 15 Pro系列成為了行業(yè)內(nèi)首款搭載該制程技術(shù)的智能手機(jī)。而OpenAI此次加入A16芯片的預(yù)訂行列，也顯得順理成章。鑒于A16芯片在高性能計(jì)算方面的卓越表現(xiàn)，OpenAI顯然需要這樣的芯片來為其產(chǎn)品提供強(qiáng)大的算力支撐。

不得不說，在AI發(fā)展的推動下，存儲芯片市場又將迎來下一個小高峰。

存儲芯片價格將繼續(xù)上漲

最近兩年，存儲芯片市場經(jīng)歷了過山車一般的大起大落。先是供大于求，價格跌至歷史新低。隨后便一路走高，漲價的勢頭至今已延續(xù)一年。

TrendForce集邦咨詢的研報顯示，在人工智能驅(qū)動的HBM和QLC的帶動下，預(yù)估DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)2024年?duì)I收年增幅度將分別增加75%和77%。預(yù)計(jì)至2025年，DRAM、NAND產(chǎn)業(yè)的營收還將分別有51%和29%的環(huán)比增長。

存儲芯片市場的持續(xù)高速擴(kuò)張，其背后是供需關(guān)系的微妙調(diào)整與AI技術(shù)浪潮催生的全新需求的交織作用。

回想三四年前，存儲芯片行業(yè)曾歷經(jīng)漫長而深重的低谷期，尤其是在2020年初疫情初現(xiàn)之時，全球芯片短缺的迷霧讓眾多廠商誤判形勢，過度囤積庫存，導(dǎo)致后續(xù)供過于求的局面，為行業(yè)帶來了沉重的庫存負(fù)擔(dān)。這一失衡狀態(tài)直接體現(xiàn)在2022年至2023年上半年，存儲芯片價格長期承壓，徘徊于低位。

然而，市場總是充滿變數(shù)與轉(zhuǎn)機(jī)。面對這一困境，上游廠商迅速行動，通過靈活調(diào)整產(chǎn)能策略與供需關(guān)系來尋求破局。在2023年第二季度的財報會議上，多家巨頭紛紛宣布減產(chǎn)計(jì)劃：三星決定繼續(xù)削減NAND Flash存儲芯片的產(chǎn)量，SK海力士緊隨其后，宣布將NAND Flash產(chǎn)量減少5%至10%；美光則進(jìn)一步加大減產(chǎn)力度，將NAND Flash晶圓投片減產(chǎn)幅度從25%提升至30%；而鎧俠則從2022年第四季度起便實(shí)施減產(chǎn)30%的策略，至2023年減產(chǎn)幅度更是擴(kuò)大至50%。

這一系列減產(chǎn)舉措帶來的結(jié)果就是：自2023年年中起，存儲芯片市場迎來了價格的強(qiáng)勢反彈，部分熱門產(chǎn)品更是在一年內(nèi)實(shí)現(xiàn)了價格翻番。

從目前的情況看，存儲芯片的價格還將持續(xù)上漲。

從2023年開始，隨著新一輪人工智能浪潮的到來，存儲芯片行業(yè)內(nèi)也產(chǎn)生了新的需求。在一段時期內(nèi)，AI服務(wù)器的算力可以輕松破T（TOPS，每秒萬億次運(yùn)算），但存儲器帶寬不能破T（TB/s，每秒萬億字節(jié)帶寬），這導(dǎo)致存儲芯片成為了AI鏈路上木桶效應(yīng)的短板，出現(xiàn)行業(yè)所謂的“存儲墻”。

為何AI服務(wù)器需要破T的存儲帶寬？

AI服務(wù)器對破T存儲帶寬的需求源自多方面考量：首先，它能夠滿足大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，隨著AI技術(shù)的迅猛發(fā)展，數(shù)據(jù)量急劇增長，高并發(fā)的數(shù)據(jù)處理需求迫切，低帶寬將導(dǎo)致效率低下，影響應(yīng)用性能；

其次，破T帶寬能顯著提升AI模型訓(xùn)練速度，減少數(shù)據(jù)傳輸延遲與開銷，從而加速訓(xùn)練過程，縮短開發(fā)周期；再者，它支持高并發(fā)訪問，確保AI系統(tǒng)在處理多任務(wù)與數(shù)據(jù)流時保持穩(wěn)定與可靠；

最后，破T帶寬作為應(yīng)對未來技術(shù)發(fā)展的基石，為AI服務(wù)器提供了廣闊的數(shù)據(jù)傳輸能力和擴(kuò)展空間，以匹配未來更復(fù)雜、更高強(qiáng)度的數(shù)據(jù)處理需求。

例如，英偉達(dá)等GPU廠商通過引入高帶寬內(nèi)存等創(chuàng)新技術(shù)，有效提升了存儲帶寬，這充分證明了破T存儲帶寬對AI服務(wù)器性能與效率提升的關(guān)鍵作用。