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芯片測(cè)試
  • RFID標(biāo)簽芯片的靈敏度是芯片剛剛被激活所需的最小能量。靈敏度是標(biāo)簽芯片最重要的性能指標(biāo)，它的大小直接影響RFID標(biāo)簽的性能，例如標(biāo)簽讀/寫距離等。因此標(biāo)簽芯片靈敏度準(zhǔn)確測(cè)試是芯片測(cè)試的重要內(nèi)容之一。
  • 本文分析和設(shè)計(jì)了應(yīng)用于超高頻無源射頻標(biāo)簽的射頻接口電路，并利用0.18m工藝流片驗(yàn)證。根據(jù)芯片測(cè)試結(jié)果，該射頻接口電路能夠在讀寫器4W等效發(fā)射功率下距讀寫器4m處為射頻標(biāo)簽芯片提供足夠的工作電壓，并且在芯片近場(chǎng)時(shí)能夠有效地穩(wěn)定電源電壓。解調(diào)信號(hào)基本正?？捎谩Ｒ虼?，該射頻接口電路可滿足超高頻遠(yuǎn)距離無源射頻標(biāo)簽芯片的要求，具有實(shí)用意義。
  • RFID標(biāo)簽芯片的靈敏度是芯片剛剛被激活所需的最小能量。靈敏度是標(biāo)簽芯片最重要的性能指標(biāo)，它的大小直接影響RFID標(biāo)簽的性能，例如標(biāo)簽讀／寫距離等。因此標(biāo)簽芯片靈敏度準(zhǔn)確測(cè)試是芯片測(cè)試的重要內(nèi)容之一。
  • 實(shí)現(xiàn)基于ISO14443A協(xié)議的13.56 MHz RFID芯片的設(shè)計(jì)，并在SMIC 0.18 μm工藝下流片，芯片測(cè)試結(jié)果良好。RFID芯片模擬前端部分在AC—DC電源產(chǎn)生部分采用了新的結(jié)構(gòu)，不需要引入LDO就可以產(chǎn)生穩(wěn)定的電源。在數(shù)據(jù)接收部分采用了新結(jié)構(gòu)，可以抵御工藝偏差引起的器件參數(shù)的變化。在數(shù)據(jù)發(fā)送部分，從系統(tǒng)上作了優(yōu)化，使模擬部分的電路變得簡單可靠。整個(gè)模擬部分的電流小于100μA.
  • 提出一種用于UHF無源RFID標(biāo)簽芯片阻抗測(cè)試的新方法。利用ADS仿真軟件對(duì)測(cè)試原理進(jìn)行了仿真并實(shí)際制作了測(cè)試板。利用設(shè)計(jì)的測(cè)試板對(duì)NXP_XM芯片和Impinj_Monza4芯片進(jìn)行了測(cè)試，分析了誤差產(chǎn)生的原因，最終測(cè)試結(jié)果符合預(yù)期效果。
  • 相對(duì)簡單的存儲(chǔ)器和邏輯芯片測(cè)試以及比較復(fù)雜的混合信號(hào)和射頻／無線芯片測(cè)試的獨(dú)特測(cè)試要求。由此可見，對(duì)于不同類型芯片的測(cè)試，我們需要根據(jù)相應(yīng)的要求采用不同的測(cè)試策略和測(cè)試方法。