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嵌入式閃存
  • 全球先進半導體解決方案領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布推出全新近場通信(NFC)芯片S3FWRN5，以小型封裝實現(xiàn)強大射頻(RF)性能。相比上一代產(chǎn)品S3FNRN3，新推出的S3FWRN5芯片的RF性能得到顯著提高，閱讀器和卡仿真模式的RF連接距離延長了一倍。
    10/09
  • 中芯國際集成電路制造有限公司與北京中電華大電子設計有限責任公司（“華大電子”）共同宣布，華大電子推出中國第一顆55納米智能卡芯片，該芯片采用中芯國際55納米低功耗（LL）嵌入式閃存（eFlash）平臺，具有尺寸小、功耗低、性能高的特點，目前已實現(xiàn)量產(chǎn)供貨，其優(yōu)良性能得到客戶的廣泛認可。
    08/05
  • 中芯國際集成電路制造有限公司與北京中電華大電子設計有限責任公司（“華大電子”）共同宣布，華大電子推出中國第一顆55納米智能卡芯片，該芯片采用中芯國際55納米低功耗（LL）嵌入式閃存（eFlash）平臺，具有尺寸小、功耗低、性能高的特點，目前已實現(xiàn)量產(chǎn)供貨，其優(yōu)良性能得到客戶的廣泛認可。
    08/05
  • 三星電子成功開發(fā)業(yè)界首款45nm嵌入式閃存(Embedded Flash或eFlash, 內(nèi)置型閃存)工藝以及采用此工藝的智能卡芯片。嵌入式閃存工藝是在控制和處理數(shù)據(jù)的系統(tǒng)半導體電路中，實現(xiàn)閃存電路的數(shù)據(jù)存儲，可提高集成度和電力效率，適用于家電，移動設備，汽車等多個領(lǐng)域的產(chǎn)品應用。
    06/04
  • 近日，專注智能卡芯片設計的北京同方微電子有限公司(以下簡稱“同方微電子”)與晶圓制造服務公司上海宏力半導體制造有限公司(以下簡稱“宏力半導體”)共同宣布, 同方微電子采用宏力半導體0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)生產(chǎn)的SIM卡芯片出貨量已超過2億顆，且生產(chǎn)良率穩(wěn)定，產(chǎn)品性能突出，已大量投放國內(nèi)市場。
    10/29
  • 上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)自主研發(fā)的“SONOS 0.13微米嵌入式閃存(eFlash)技術(shù)”榮獲“2010年度國家金卡工程優(yōu)秀成果金螞蟻獎-優(yōu)秀應用成果獎”，這是華虹NEC連續(xù)第三年獲得這一殊榮。
    06/09
  • 英飛凌科技股份公司與臺積電日前共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴大合作，攜手開發(fā)面向下一代汽車、芯片卡和安全應用的65納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。
    11/06
  • 2008年10月30日－世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）今天宣布，與多家智能卡行業(yè)龍頭設計公司的合作順利進行。
    11/05