Imec 研發(fā)出低成本無源薄膜RFID標簽
Imec的超高頻Schottky二極管基于非晶IGZO材料,據(jù)說能用于開發(fā)薄膜無源超高頻(UHF)電子標簽,取代目前的條形碼標識,很適合單品級應(yīng)用。
超高頻RFID標簽有一個較長的閱讀范圍(5米),體形小,可用印刷天線,總體成本低。
與硅相比,IGZO材料的低成本優(yōu)勢更明顯,因為IGZO薄膜有源器件的制程便宜,要求的溫度較前者低。
該研發(fā)成果將使得RFID芯片直接基于塑料薄膜應(yīng)用,如產(chǎn)品包裝。
二極管可用于阻擋電流,例如,在無源標簽上,它通過捕捉天線的電磁波并轉(zhuǎn)化為電流為標簽供電。
IGZO是非晶半導體,能形成一個穩(wěn)定的Schottky勢壘,即使應(yīng)用于金屬環(huán)境。
獲得一個穩(wěn)定的Schottky勢壘后,Imec開發(fā)了特別的電漿和退火處理,通過化學過程改變Schottky二極管的接口。
由此制成的IGZO Schottky二極管整流比高達九個數(shù)量級(+ V 和- V),電流密度高達800 A /cm2(正向偏壓1V),截止頻率1.8ghz。如果單級整流器,截止頻率1.1ghz。
實驗已證明,整流器件在超高頻(868MHz)下?lián)p耗很低。
本研究為薄膜超高頻RFID技術(shù),支持歐盟EU FP7-ICT-247798 project ORICLA。
項目的合作伙伴包括項目協(xié)調(diào)員Imec(比利時),霍爾斯特中心–TNO(荷蘭),贏創(chuàng)工業(yè)股份公司(Evonik Industries AG,德國),和PolyIC(德國)。(RFID世界網(wǎng)編譯)