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超高頻RFID集聚識(shí)別技術(shù)的研究

作者:童廷洋
來源:電子技術(shù)應(yīng)用
日期:2014-10-08 11:27:07
摘要:本文采用集聚識(shí)別技術(shù),對(duì)于大批量單品標(biāo)簽識(shí)別采集數(shù)據(jù)時(shí),降低或減少盲點(diǎn)和誤讀問題,同時(shí)克服空腔效應(yīng)和多路徑效應(yīng),快速而且全部識(shí)別高度密集的射頻電子標(biāo)簽,實(shí)現(xiàn)集聚電子標(biāo)簽識(shí)別率100%的識(shí)讀。

  超高頻射頻識(shí)別RFID技術(shù)具有無源、體積小、遠(yuǎn)距離識(shí)別、高速移動(dòng)物體識(shí)別、多目標(biāo)識(shí)別和非接觸識(shí)別等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用在物流、制造、交通運(yùn)輸、醫(yī)療、防偽和資產(chǎn)管理等領(lǐng)域。實(shí)際應(yīng)用中,經(jīng)常遇到識(shí)別范圍不可控、電子標(biāo)簽誤讀、密集標(biāo)簽識(shí)別率低以及盲點(diǎn)標(biāo)簽無法識(shí)別等問題。

  超高頻射頻識(shí)別電子標(biāo)簽附著在單個(gè)產(chǎn)品或物流運(yùn)輸?shù)南潴w上,標(biāo)識(shí)物品或物流運(yùn)輸信息。采集密集電子標(biāo)簽數(shù)據(jù)時(shí),產(chǎn)生盲點(diǎn)和誤讀現(xiàn)象。金屬屏蔽可以解決電子標(biāo)簽誤讀,但是隨后產(chǎn)生的空腔效應(yīng)和多路徑效應(yīng)加劇盲點(diǎn)現(xiàn)象,降低識(shí)別率[1]。

  本文采用集聚識(shí)別技術(shù),對(duì)于大批量單品標(biāo)簽識(shí)別采集數(shù)據(jù)時(shí),降低或減少盲點(diǎn)和誤讀問題,同時(shí)克服空腔效應(yīng)和多路徑效應(yīng),快速而且全部識(shí)別高度密集的射頻電子標(biāo)簽,實(shí)現(xiàn)集聚電子標(biāo)簽識(shí)別率100%的識(shí)讀。

  集聚識(shí)別技術(shù)是針對(duì)超高頻RFID高度密集的射頻標(biāo)簽無法全部識(shí)別的問題,通過采用超高頻遠(yuǎn)距離電子標(biāo)簽、射頻識(shí)別金屬屏蔽效應(yīng)和交變磁場集聚識(shí)別等技術(shù),克服外部標(biāo)簽干擾和內(nèi)部射頻識(shí)別空腔效應(yīng),降低或減少遮擋盲點(diǎn)和疊加盲點(diǎn),快速識(shí)讀全部密集標(biāo)簽,同時(shí)不誤讀任何標(biāo)簽。

  1 超高頻遠(yuǎn)距離電子標(biāo)簽技術(shù)

  超高頻射頻識(shí)別電子標(biāo)簽附著在單個(gè)產(chǎn)品或物流運(yùn)輸?shù)南潴w上,應(yīng)用在箱體上需要滿足實(shí)際流水線識(shí)讀的要求,標(biāo)簽識(shí)別靈敏度應(yīng)小于等于-6.5 dBm[2],尺寸為60 mm×18 mm的長條形,標(biāo)簽面紙采用白色PET材質(zhì),其采用HFSS設(shè)計(jì),外觀如圖1所示,天線增益如圖2所示。

  

超高頻RFID集聚識(shí)別技術(shù)的研究

  實(shí)驗(yàn)測試過程中,讀寫器天線端口發(fā)出的傳導(dǎo)功率為29.15 dBm,天線增益為6 dBi,等效于讀寫器發(fā)送的前向鏈路ERP為33 dBm,載波頻率為925 MHz,標(biāo)簽與讀寫器天線正對(duì)。暗室情況下,傳輸損耗與距離、工作頻率有關(guān),公式為:

  [Lfs](dB)=32.44+20lgd(km)+20lgf(MHz)

  其中,Lfs為傳輸損耗,d為傳輸距離,f為工作頻率[3]。測試時(shí),讀寫器與標(biāo)簽間隔距離為3 m。接收靈敏度與工作頻率之間的關(guān)系為:

  接收靈敏度=發(fā)射功率-傳輸損耗

  隨機(jī)抽取的3個(gè)標(biāo)簽實(shí)驗(yàn)測試數(shù)據(jù),標(biāo)簽靈敏度測試折線圖如圖3所示。數(shù)據(jù)表明,實(shí)際標(biāo)簽與設(shè)計(jì)理論值相符,滿足實(shí)際情況的要求。

  

超高頻RFID集聚識(shí)別技術(shù)的研究

  2 射頻識(shí)別金屬屏蔽效應(yīng)

  為保證批量識(shí)別電子標(biāo)簽信息的準(zhǔn)確性,防止外界標(biāo)簽的繞射干擾,采用金屬箱內(nèi)識(shí)讀是最好的方式。讀寫器發(fā)出的電磁波在封閉的金屬環(huán)境里會(huì)形成一種叫做空腔效應(yīng)的特殊場分布。理論上,空腔效應(yīng)是不良反應(yīng),應(yīng)該避免的。實(shí)際應(yīng)用中卻往往無法避免,其最終的分布狀況比較復(fù)雜又無法計(jì)算和預(yù)估,例如:大量的金屬反射面極易造成信號(hào)疊加而產(chǎn)生信號(hào)盲點(diǎn),即多路徑效應(yīng)[4]。

  當(dāng)RFID系統(tǒng)應(yīng)用在金屬環(huán)境中時(shí),金屬對(duì)電磁場還有屏蔽作用。由于電場會(huì)造成金屬內(nèi)部自由電荷的移動(dòng),從而損失能量。電磁波能到達(dá)金屬內(nèi)部的深度用趨膚深度表示:

  

超高頻RFID集聚識(shí)別技術(shù)的研究

  假設(shè)金屬為鐵(K=1.06×106 S/m,μ=300),在868 MHz頻率下,趨膚深度為2.2 μm,所以在一般情況下,電磁波是無法直接穿過金屬傳播的,在金屬后方有一個(gè)無法讀取的區(qū)域。當(dāng)金屬尺寸不是很大時(shí),這個(gè)區(qū)域會(huì)因?yàn)殡姶挪ǖ难苌涠冃5]。

  在讀寫器和標(biāo)簽之間放置金屬板,金屬板的尺寸為300 mm×300 mm,金屬板距離標(biāo)簽保持1 m,讀取率測試結(jié)果如圖4所示。由圖4可知,金屬板遮擋時(shí)有個(gè)區(qū)域無法識(shí)讀,稱為盲區(qū)。由于實(shí)際應(yīng)用的情況復(fù)雜,應(yīng)當(dāng)盡量減小金屬遮擋產(chǎn)生的屏蔽效應(yīng)。

  

超高頻RFID集聚識(shí)別技術(shù)的研究

  3 交變磁場集聚識(shí)別

  對(duì)于大批量單品標(biāo)簽識(shí)別采集數(shù)據(jù)時(shí),需要克服屏蔽及射頻盲點(diǎn),才能實(shí)現(xiàn)電子標(biāo)簽100%的識(shí)讀。以智能電表產(chǎn)品為例,每只智能表單品上均貼有超高頻射頻識(shí)別電子標(biāo)簽。智能表主要部件由電路板組成,對(duì)電子標(biāo)簽具有屏蔽效應(yīng)[6]。智能表的基本存儲(chǔ)單元為貼有射頻標(biāo)簽的周轉(zhuǎn)箱,每箱裝有12只智能表,30個(gè)周轉(zhuǎn)箱以品字形3垛疊放在托盤上,共計(jì)360個(gè)電表標(biāo)簽。30箱360個(gè)電表品字形疊放如圖5所示。

  

超高頻RFID集聚識(shí)別技術(shù)的研究

  本系統(tǒng)采用電波屏蔽室,30箱以品字形疊放,試驗(yàn)測試無法100%識(shí)讀全部的360個(gè)電表標(biāo)簽。讀取率與識(shí)讀時(shí)間測試數(shù)據(jù)如圖6所示。

  

超高頻RFID集聚識(shí)別技術(shù)的研究

  測試過程中,經(jīng)常有4~5個(gè)標(biāo)簽無法識(shí)讀,調(diào)整天線的位置、角度之后,這4~5個(gè)標(biāo)簽被識(shí)讀出來,但是又有另外4~5個(gè)標(biāo)簽無法識(shí)讀。經(jīng)電表標(biāo)簽測試統(tǒng)計(jì)分析軟件分析,未能識(shí)讀的電表標(biāo)簽集中在中間灰色區(qū)域。品字形電表疊放示意圖如圖7所示,其中10、11、21、25、22、26沒有識(shí)讀的概率最高80%~90%;另外,17、18、19、29、30、31沒有識(shí)讀的概率也到達(dá)60%~70%。按照金屬反射及屏蔽分析,此處的標(biāo)簽處于盲點(diǎn)。盲點(diǎn)具有不確定性,會(huì)根據(jù)天線角度、位置和射頻強(qiáng)度發(fā)生改變。

  

超高頻RFID集聚識(shí)別技術(shù)的研究

  實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),盲點(diǎn)具有不確定性,改變天線的位置,盲點(diǎn)也會(huì)發(fā)生改變。采用射頻天線的橫向移動(dòng),改變天線箱體內(nèi)的輻射模式和場域,形成交變磁場,有效利用空腔效應(yīng)中多路徑識(shí)別,動(dòng)態(tài)覆蓋盲區(qū),解決標(biāo)簽批量識(shí)別的問題[7]。移動(dòng)天線及控制單元如圖8所示。

  

超高頻RFID集聚識(shí)別技術(shù)的研究

  實(shí)驗(yàn)室測試兩個(gè)天線橫向移動(dòng)時(shí)采集數(shù)據(jù)的有效性。讀取數(shù)量和讀取率與識(shí)讀時(shí)間的折線圖如圖9和圖10所示。數(shù)據(jù)表明,10 s內(nèi)可以完全識(shí)讀集聚標(biāo)簽,而且10 s之后的識(shí)讀成功率為100%,效果非常好。

  

超高頻RFID集聚識(shí)別技術(shù)的研究

  試驗(yàn)表明,交變磁場能有效克服盲點(diǎn)不可識(shí)讀的難題,可以將集聚超高頻電子標(biāo)簽的識(shí)別率提升到100%。

  

標(biāo)簽讀取率與識(shí)讀時(shí)間

  本文對(duì)集聚識(shí)別技術(shù)進(jìn)行研究和闡述,為高度密集的超高頻電子標(biāo)簽的識(shí)讀問題提出核心處理方法,對(duì)解決現(xiàn)實(shí)問題具有重要意義。本文闡述的超高頻遠(yuǎn)距離電子標(biāo)簽技術(shù)、交變磁場集聚批量識(shí)別技術(shù)及相關(guān)技術(shù)獲得發(fā)明或?qū)嵱眯滦投囗?xiàng)專利,在危險(xiǎn)品流通監(jiān)管、產(chǎn)品防偽追溯等多個(gè)政府、企業(yè)項(xiàng)目中成功應(yīng)用。

  參考文獻(xiàn)

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