恩智浦臺積電攜手發(fā)表七項半導體創(chuàng)新技術

    由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導體公司恩智浦半導體(NXPSemiconductors）與臺灣地區(qū)積體電路制造股份有限公司于美國華盛頓特區(qū)(WashingtonD.C.)舉行的國際電子器件會議(InternationalElectronDevicesMeeting，IEDM)上共同發(fā)表七篇技術文章，報告雙方通過恩智浦-臺積電研究中心(NXP-TSMCResearchCenter)合作開發(fā)的半導體技術及制程方面的創(chuàng)新。  

    在會議中，恩智浦-臺積電研究中心發(fā)表了創(chuàng)新的嵌入式存儲技術，這與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相較，速度最多可以快上1,000倍，同時也具備小尺寸及低功耗等優(yōu)勢，預估其功耗較目前的存儲器至少小十分之一，制造成本也比一般的嵌入式存儲器節(jié)省百分之五到十。此外，在使用近距無線通信技術(NFC，NearFieldCommunication)進行移動支付或數(shù)據(jù)傳輸時，此技術有助于避免數(shù)據(jù)干擾并可以增加數(shù)據(jù)傳輸?shù)陌踩浴?nbsp;

    另一個技術文章發(fā)表的是置換傳統(tǒng)石英諧振器的創(chuàng)新突破，此技術可以在芯片中內(nèi)建更小及更薄的定時器，而可以直接在智能卡或移動電話SIM卡芯片上內(nèi)建定時器，進一步強化智能卡的加密保護功能。  

    此外，該研究中心也將發(fā)表在晶體管上的創(chuàng)新突破，報告新一代晶體管的效能以及其在多方面的應用。  

    恩智浦-臺積電研究中心于IEDM所發(fā)表的七篇技術文章其創(chuàng)新突破簡介如下：  

    *提高晶體管頻率(HighFrequencyBreakthrough):Anovelfullyself-alignedSiGe:CHBTarchitecturefeaturingasinglestepepitaxialcollector-baseprocess  

    *簡化便攜產(chǎn)品應用的低耗電量CMOS制程(ProcessSimplificationforLowPowerCMOSProcessesforPortableApplications):TuningPMOSMo(O,N)metalgatestoNMOSbyadditionofDyOcappinglayer  

    *新一代晶體管(NewGenerationTransistor):Demonstrationofhigh-performanceFinFETdevicesfeaturinganoptimizedgatestack  

    *展現(xiàn)高效能CMOS制程(DemonstrationofHighPerformanceFullCMOSProcess):LowVtCMOSusingdopedHf-basedoxides,TaC-basedMetalsandLaser-onlyAnneal  

    *創(chuàng)新的電路設計，大幅降低功耗百分之八十(ReducingPowerConsumptionEffectivelyby80%):Rapidcircuit-basedoptimizationoflowoperationalpowerCMOSdevices  

    *更快速、更省電、尺寸更小的嵌入式存儲器(Faster,LowPower,ScalableEmbeddedMemory):Evidenceofthethermo-electricThomsoneffectandinfluenceontheprogramconditionsandcelloptimizationinphase-rangememorycells  

     *諧振器技術突破(ResonatorTechnologyBreakthrough):Scalable1.1GHzfundamentalmodepiezo-resistivesiliconMEMSresonator